이과대학 물리학과 조만호 교수 연구팀이 차세대 초격자 상변화 메모리(Advanced iPCM)를 개발했다. 

연구 성과는 물리 및 재료과학 분야의 권위 있는 국제 학술지 ‘머터리얼즈 투데이(Materials Today, IF 24.2)’에 8월 18일 게재됐다.

연구팀은 우수한 상변화 특성으로 잘 알려진 게르마늄텔루라이드(GeTe)와 안티몬텔루라이드(Sb2Te3) 층이 초격자 구조를 이루고 있는 기존 계면 상변화 메모리(iPCM)에서 한 단계 발전시켜, 

초격자 구조의 안티몬텔루라이드(Sb2Te3) 층에 티타늄(Ti) 원소를 선별적으로 치환하는 방식으로 메모리 소자에 획기적 개선이 가능함을 밝혔다.

조만호 교수는 “이번 연구는 복잡한 구조로 인해 특성 개선이 미흡했던 초격자 상변화 메모리에 대한 개발 방법론의 시작”이라며, “낮은 동작 에너지, 높은 반복 측정 신뢰도 및 다치화 레벨 구현을 통한 차세대 뉴로모픽 메모리로의 활용이 기대된다.”고 연구의 의의를 밝혔다.

한편 이번 연구는 한국연구재단 원천기술개발사업(PIM인공지능반도체 핵심기술개발), 나노 및 소재 기술개발사업, 중견연구자지원사업의 지원을 받아 수행됐으며, 물리학과 조만호 교수(교신저자), 임현욱 연구원(제1저자), 화학과 심은지 교수, 성균관대 양철웅 교수, 서울과기대 최병준 교수, 동국대 정광식 교수 등이 공동 저자로 참여했다.

* 논문명: Advanced interfacial phase change material: Structurally confined and interfacially extended superlattice